Sanrex

Mosfet & Diodi -> Mosfet SiC

I MOSFET in SiC (Silicon Carbide) sono dispositivi di potenza realizzati in carburo di silicio, materiale a wide bandgap, che offre prestazioni nettamente superiori rispetto ai MOSFET al silicio tradizionale. Grazie alla capacità di operare a tensioni elevate, temperature molto alte (oltre i 175-200 °C), con bassa resistenza d'accensione (RDS(on)) e perdite di commutazione drasticamente ridotte, i MOSFET SiC permettono riduzione delle dimensioni dei dissipatori, maggiore efficienza energetica e progettazione di sistemi più compatti. Sono ideali per applicazioni quali inverter fotovoltaici, stazioni di ricarica EV, alimentatori industriali e azionamenti motore.

Mosfet & Diodi -> Soft Recovery Diode

I Soft Recovery Diode sono diodi caratterizzati da un rapporto tra il tempo di recupero inverso (Trrr) e il tempo di discesa della corrente (Trrf) di circa 1:3. Questa particolare progettazione consente una transizione graduale durante la commutazione, riducendo i picchi di tensione causati da elevate variazioni di corrente (dI/dt) nei circuiti che presentano induttanze, anche parassite. Grazie al comportamento “morbido” nel recupero inverso, i soft recovery diode minimizzano le emissioni elettromagnetiche (EMI) e migliorano l’affidabilità dei sistemi di potenza, risultando ideali per applicazioni in convertitori, inverter e alimentatori switching.

Mosfet & Diodi -> Fast Recovery Diode

I Diodi a Recupero Veloce (Fast Recovery Diode, FRD) sono progettati per applicazioni a commutazione rapida, come convertitori DC/DC, circuiti di correzione del fattore di potenza, controllo motore e altre applicazioni PWM ad alta frequenza. Questi diodi sono in grado di ripristinare rapidamente il loro stato di non conduzione, evitando perdite e picchi di tensione indesiderati durante il commutamento.

I diodi “veloci” e “ultraveloci” si distinguono per la capacità di interrompere rapidamente la conduzione inversa. Il termine “Soft Recovery” si applica a una categoria di diodi fast recovery che ripristinano lo stato di blocco in maniera graduale, riducendo i disturbi elettromagnetici (EMI) e aumentando l’affidabilità del circuito.

IGBT - Triac - Ponti raddrizzatori -> TRIAC

I dispositivi elettronici, nella maggior parte dei casi,  contengono un'insieme di componenti discreti e circuiti integrati.
I componenti discreti sono più grandi, ma utili dove vi è la necessità di gestire quantità di energia più elevate.
I circuiti integrati risultano essere più piccoli e rappresentano l'unica soluzione per il posizionamento di più componenti vicini tra loro.

Moduli di Potenza -> Diodi Trifase

Consentono di migliorare le forme d’onda di tensione e corrente sia lato rete (corrente più prossima ad una sinusoide), sia lato carico (tensione più costante), la configurazione più utilizzata è quella a ponte.

Le configurazioni possono essere:
- Raddrizzatore a semi-onda;
- Raddrizzatore ad onda intera (ponte).

Esiste anche la versione controllata, in cui i diodi sono sostituiti da Tiristori.
In questo caso i tiristori vengono usati per differenziare la tensione di uscita variando l'angolo di accensione (o  ritardo di accensione).  L'applicazione principale di questi raddrizzatori è nel controllo di velocità dei motori in continua.

IGBT - Triac - Ponti raddrizzatori -> IGBT

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) sono dispositivi elettronici di potenza che combinano i vantaggi dei transistor a effetto di campo (MOSFET) e dei transistor bipolari (BJT), offrendo alta velocità di commutazione e capacità di gestire elevate correnti e tensioni. Questi dispositivi sono ideali per applicazioni come convertitori DC/AC, inverter, alimentatori switching e controllo motore.

SanRex, marchio di SANSHA Electric, è un produttore giapponese rinomato per la qualità e l'affidabilità dei suoi moduli IGBT. La gamma di prodotti SanRex include moduli come il GSA75AA120, con una tensione di collettore-emettitore (Vce) di 1200V e una corrente continua di collettore (Ic) di 75A, progettato per applicazioni ad alta velocità di commutazione.

Questi moduli offrono vantaggi come:

• Alta efficienza energetica

• Basse perdite di commutazione

• Affidabilità comprovata

• Ampia gamma di tensioni e correnti

Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd.

Mosfet & Diodi -> Fast Recovery Diode

I Diodi a Recupero Veloce (Fast Recovery Diode, FRD) sono progettati per applicazioni a commutazione rapida, come convertitori DC/DC, circuiti di correzione del fattore di potenza, controllo motore e altre applicazioni PWM ad alta frequenza. Questi diodi sono in grado di ripristinare rapidamente il loro stato di non conduzione, evitando perdite e picchi di tensione indesiderati durante il commutamento.

I diodi “veloci” e “ultraveloci” si distinguono per la capacità di interrompere rapidamente la conduzione inversa. Il termine “Soft Recovery” si applica a una categoria di diodi fast recovery che ripristinano lo stato di blocco in maniera graduale, riducendo i disturbi elettromagnetici (EMI) e aumentando l’affidabilità del circuito.

Mosfet & Diodi -> Mosfet

I MOSFET in silicio (Si‑MOSFET) sono transistor di potenza largamente utilizzati per il controllo efficiente di corrente e tensione nei circuiti elettronici. Grazie alla loro alta velocità di commutazione, bassa resistenza di canale (RDS(on)) e capacità di gestire elevate correnti, i MOSFET in silicio sono ideali per applicazioni come alimentatori switching, convertitori DC/DC, controllo motore e sistemi di gestione energetica. La loro affidabilità e flessibilità li rendono componenti fondamentali nell’elettronica di potenza moderna.