FMG50AQ120N6

FMG50AQ120N6


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    • Titolo certificazioni
    Certificazione RoHs

    Mosfet & Diodi Mosfet SiC
    SiC MOSFET TO247 INSULATED TYPE

    Documentazione

    Sanrex

    Mosfet & Diodi -> Mosfet SiC

    I MOSFET in SiC (Silicon Carbide) sono dispositivi di potenza realizzati in carburo di silicio, materiale a wide bandgap, che offre prestazioni nettamente superiori rispetto ai MOSFET al silicio tradizionale. Grazie alla capacità di operare a tensioni elevate, temperature molto alte (oltre i 175-200 °C), con bassa resistenza d'accensione (RDS(on)) e perdite di commutazione drasticamente ridotte, i MOSFET SiC permettono riduzione delle dimensioni dei dissipatori, maggiore efficienza energetica e progettazione di sistemi più compatti. Sono ideali per applicazioni quali inverter fotovoltaici, stazioni di ricarica EV, alimentatori industriali e azionamenti motore.

    Immagine Codice VDS [V] Ifa[A] Tc [°C] RDS(on) Package
    pALdp0vh4FavgYH FCA100AC120

    1200V
    |
    100A
    |
    90°C
    |
    6.8mΩ
    |
    Module

    		 1200V 100A 90°C 6.8mΩ Module SiC Mosfet Module 1200V 100A
    FCA150AC120

    1200V
    |
    150A
    |
    90°C
    |
    6mΩ
    |
    Module

    		 1200V 150A 90°C 6mΩ Module SiC Mosfet Module 1200V 150A
    qESuQ7SOP4HhjQ3 FMG50AQ120N6

    1200V
    |
    50A
    |
    108°C
    |
    13mΩ
    |
    TO-247-4L

    		 1200V 50A 108°C 13mΩ TO-247-4L SiC MOSFET TO247 INSULATED TYPE