FMG50AQ120N6

Titolo certificazioni

Sanrex

Mosfet & Diodi -> Mosfet SiC

I MOSFET in SiC (Silicon Carbide) sono dispositivi di potenza realizzati in carburo di silicio, materiale a wide bandgap, che offre prestazioni nettamente superiori rispetto ai MOSFET al silicio tradizionale. Grazie alla capacità di operare a tensioni elevate, temperature molto alte (oltre i 175-200 °C), con bassa resistenza d'accensione (RDS(on)) e perdite di commutazione drasticamente ridotte, i MOSFET SiC permettono riduzione delle dimensioni dei dissipatori, maggiore efficienza energetica e progettazione di sistemi più compatti. Sono ideali per applicazioni quali inverter fotovoltaici, stazioni di ricarica EV, alimentatori industriali e azionamenti motore.

Immagine	Codice	VDS [V]	Ifa[A]	Tc [°C]	RDS(on)	Package
	FMG50AQ120N6 1200V | 50A | 108°C | 13mΩ | TO-247-4L	1200V	50A	108°C	13mΩ	TO-247-4L	SiC MOSFET TO247 INSULATED TYPE