Mosfet SiC

Sanrex

Mosfet & Diodi, Mosfet SiC

I MOSFET in SiC (Silicon Carbide) sono dispositivi di potenza realizzati in carburo di silicio, materiale a wide bandgap, che offre prestazioni nettamente superiori rispetto ai MOSFET al silicio tradizionale. Grazie alla capacità di operare a tensioni elevate, temperature molto alte (oltre i 175-200 °C), con bassa resistenza d'accensione (RDS(on)) e perdite di commutazione drasticamente ridotte, i MOSFET SiC permettono riduzione delle dimensioni dei dissipatori, maggiore efficienza energetica e progettazione di sistemi più compatti. Sono ideali per applicazioni quali inverter fotovoltaici, stazioni di ricarica EV, alimentatori industriali e azionamenti motore.

Filtri

Immagine Codice VDS [V] Ifa[A] Tc [°C] RDS(on) Package
pALdp0vh4FavgYH FCA100AC120

1200V
|
100A
|
90°C
|
6.8mΩ
|
Module

 1200V 100A 90°C 6.8mΩ Module
FCA150AC120

1200V
|
150A
|
90°C
|
6mΩ
|
Module

 1200V 150A 90°C 6mΩ Module
qESuQ7SOP4HhjQ3 FMG50AQ120N6

1200V
|
50A
|
108°C
|
13mΩ
|
TO-247-4L

 1200V 50A 108°C 13mΩ TO-247-4L

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