SMS1200032P2


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  • Titolo certificazioni

    Mosfet & Diodi Mosfet SiC
    SiC Mosfet 1200V 57A@25°C 41A@100°C 32mOhm TO-263-7L

    Documentazione

    • Tipo
      Mosfet & Diodi Mosfet SiC
    • Marchio
      Sanan Semiconductor Co., Ltd
    • VDS [V]
      1200V
    • Ifa[A]
      57A
    • Tc [°C]
      25°C
    • RDS(on)
      32mΩ
    • Package
      TO-263-7L
    • Scheda tecnica

    Sanan Semiconductor Co., Ltd

    Mosfet & Diodi -> Mosfet SiC

    I MOSFET in SiC (Silicon Carbide) sono dispositivi di potenza realizzati in carburo di silicio, materiale a wide bandgap, che offre prestazioni nettamente superiori rispetto ai MOSFET al silicio tradizionale. Grazie alla capacità di operare a tensioni elevate, temperature molto alte (oltre i 175-200 °C), con bassa resistenza d'accensione (RDS(on)) e perdite di commutazione drasticamente ridotte, i MOSFET SiC permettono riduzione delle dimensioni dei dissipatori, maggiore efficienza energetica e progettazione di sistemi più compatti. Sono ideali per applicazioni quali inverter fotovoltaici, stazioni di ricarica EV, alimentatori industriali e azionamenti motore.

    Immagine Codice VDS [V] Ifa[A] Tc [°C] RDS(on) Package
    nZp5bUNBysdC2 AMS0650050M

    650V
    |
    45A
    |
    25°C
    |
    50mΩ
    |
    TO-247-4L

    650V 45A 25°C 50mΩ TO-247-4L SiC Mosfet 650V 45A@25°C 32A@100°C 50mOhm TO-247-4L AEC-Q101
    AMS1200075M

    1200V
    |
    41A
    |
    25°C
    |
    75mΩ
    |
    TO-247-4L

    1200V 41A 25°C 75mΩ TO-247-4L SiC Mosfet 1200V 41A@25°C 29A100°C 75mOhm TO-247-4L AEC-Q101
    SMS1200016M

    1200V
    |
    132A
    |
    25°C
    |
    16mΩ
    |
    TO-247-4L

    1200V 132A 25°C 16mΩ TO-247-4L SiC Mosfet 1200V 132A@25°C 95A@100°C 16mOhm TO-247-4L
    SMS1200020M

    1200V
    |
    111A
    |
    25°C
    |
    20mΩ
    |
    TO-247-4L

    1200V 111A 25°C 20mΩ TO-247-4L SiC Mosfet 1200V 111A@25°C 79A@100°C 20mOhm TO-247-4L
    SMS1200040M2

    1200V
    |
    47A
    |
    25°C
    |
    40mΩ
    |
    TO-247-4L

    1200V 47A 25°C 40mΩ TO-247-4L SiC Mosfet 1200V 47A@25°C 33A@100°C 40mΩ TO-247-4L
    nyt7D0RX0DM8B AMS1200018MA

    1200V
    |
    124A
    |
    25°C
    |
    18mΩ
    |
    TO-247-4LA

    1200V 124A 25°C 18mΩ TO-247-4LA SiC Mosfet 1200V 124A@25°C 90A@100°C 18mOhm TO-247-4LA AEC-Q101
    n4Vjgh8ktM8uW AMS0650035P

    650V
    |
    60A
    |
    25°C
    |
    35mΩ
    |
    TO-263-7L

    650V 60A 25°C 35mΩ TO-263-7L SiC Mosfet 650V 60A@25°C 42A@100°C 35mOhm TO-263-7L AEC-Q101
    AMS0650050P

    650V
    |
    42A
    |
    25°C
    |
    50mΩ
    |
    TO-263-7L

    650V 42A 25°C 50mΩ TO-263-7L SiC Mosfet 650V 42A@25°C 30A@100°C 50mOhm TO-263-7L AEC-Q101
    AMS1200040P2

    1200V
    |
    48A
    |
    25°C
    |
    40mΩ
    |
    TO-263-7L

    1200V 48A 25°C 40mΩ TO-263-7L SiC Mosfet 1200V 48A@25°C 34A@100°C 40mOhm TO-263-7L AEC-Q101
    AMS1200060P2

    1200V
    |
    33A
    |
    25°C
    |
    60mΩ
    |
    TO-263-7L

    1200V 33A 25°C 60mΩ TO-263-7L SiC Mosfet 1200V 33A@25°C 24A@100°C 60mOhm TO-263-7L AEC-Q101
    AMS1200075P

    1200V
    |
    35A
    |
    25°C
    |
    75mΩ
    |
    TO-263-7L

    1200V 35A 25°C 75mΩ TO-263-7L SiC Mosfet 1200V 35A@25°C 25A@100°C 75mOhm TO-263-7L AEC-Q101
    AMS1200075P2

    1200V
    |
    27A
    |
    25°C
    |
    75mΩ
    |
    TO-263-7L

    1200V 27A 25°C 75mΩ TO-263-7L SiC Mosfet 1200V 27A@25°C 19A@100°C 75mOhmTO-263-7L AEC-Q101
    SMS0650035P

    650V
    |
    60A
    |
    25°C
    |
    35mΩ
    |
    TO-263-7L

    650V 60A 25°C 35mΩ TO-263-7L SiC Mosfet 650V 60A 32mΩ PKG TO-263-7L
    SMS1200032P2

    1200V
    |
    57A
    |
    25°C
    |
    32mΩ
    |
    TO-263-7L

    1200V 57A 25°C 32mΩ TO-263-7L SiC Mosfet 1200V 57A@25°C 41A@100°C 32mOhm TO-263-7L
    ndctWduAyYhOr AMS0650027V2

    650V
    |
    81A
    |
    25°C
    |
    27mΩ
    |
    SAPKG-9L

    650V 81A 25°C 27mΩ SAPKG-9L SiC Mosfet 650V 81A@25°C 57A@100°C 27mOhm SAPKG-9L AEC-Q101
    AMS0650035V

    650V
    |
    64A
    |
    25°C
    |
    35mΩ
    |
    SAPKG-9L

    650V 64A 25°C 35mΩ SAPKG-9L SiC Mosfet 650V 64A@25°C 45A@100°C 35mOhm SAPKG-9L AEC-Q101
    AMS0650050V2

    650V
    |
    44A
    |
    25°C
    |
    50mΩ
    |
    SAPKG-9L

    650V 44A 25°C 50mΩ SAPKG-9L SiC Mosfet 650V 44A@25°C 31@100°C 50mOhm SAPKG-9L AEC-Q101
    AMS1200032V2

    1200V
    |
    59A
    |
    25°C
    |
    32mΩ
    |
    SAPKG-9L

    1200V 59A 25°C 32mΩ SAPKG-9L SiC Mosfet 1200V 59A@25°C 42A@100°C 32mOm SAPKG-9L AEC-Q101
    AMS1200060V2

    1200V
    |
    34A
    |
    25°C
    |
    60mΩ
    |
    SAPKG-9L

    1200V 34A 25°C 60mΩ SAPKG-9L SiC Mosfet 1200V 34A@25°C 24A@100°C 60mOhm SAPKG-9L AEC-Q101
    AMS1200075V2

    1200V
    |
    34A
    |
    25°C
    |
    75mΩ
    |
    SAPKG-9L

    1200V 34A 25°C 75mΩ SAPKG-9L SiC Mosfet 1200V 34A@25°C 24A@100°C 75mOhm SAPKG-9L AEC-Q101
    nqpfDSlHfrhon AMS1200075K

    1200V
    |
    35A
    |
    25°C
    |
    75mΩ
    |
    TO-247-3L

    1200V 35A 25°C 75mΩ TO-247-3L SiC Mosfet 1200V 35A@25°C 25A@100°C 75mOhm TO-247-3L AEC-Q101
    SMS0650035K

    650V
    |
    60A
    |
    25°C
    |
    35mΩ
    |
    TO-247-3L

    650V 60A 25°C 35mΩ TO-247-3L SiC Mosfet 650V 60A@25°C 42A@100°C 20mOhm TO-247-3L
    SMS1701000K

    1700V
    |
    6.8A
    |
    25°C
    |
    1000mΩ
    |
    TO-247-3L

    1700V 6.8A 25°C 1000mΩ TO-247-3L SiC Mosfet 1700V 6.8A@25°C 4.8A@100°C 1000mOhm TO-247-3L