Diodi SiC

I diodi in SiC (Silicon Carbide) sono dispositivi ad elevata efficienza progettati con materiali wide-bandgap che garantiscono prestazioni superiori rispetto ai diodi tradizionali al silicio. Offrono tensione di rottura molto alta, caduta di tensione diretta (VF) ridotta, nessuna o quasi nessuna carica di recupero inverso (reverse recovery), e stabilità operativa su ampie gamme di temperatura fino a ~175-200 °C. Queste caratteristiche permettono di ridurre le perdite di commutazione, il calore generato, le dimensioni dei dissipatori e dei componenti passivi, aumentando così l’affidabilità, la densità di potenza e l’efficienza del sistema. Sono ideali per applicazioni quali alimentatori switching, inverter fotovoltaici, caricabatterie EV, sistemi industriali e power factor correction (PFC