Joint Venture STMicroelectronics e Sanan Optoelectronics

 

 

 

STMicroelectronics e la cinese Sanan Optoelectronics annunciano un importante traguardo nel loro progetto congiunto dedicato alla produzione di semiconduttori al carburo di silicio (SiC). È stata infatti completata una parte strategica del nuovo impianto di Chongqing, avviato nel giugno 2023: un’iniziativa di portata globale che conferma l’impegno congiunto delle due aziende nello sviluppo di tecnologie avanzate per la transizione energetica e la mobilità sostenibile.

Con un investimento complessivo di 3,2 miliardi di dollari nei prossimi cinque anni — di cui circa 2,4 miliardi in conto capitale e con il sostegno del governo locale — la joint venture rappresenta uno dei progetti industriali più ambiziosi del settore.

L’avvio della produzione su larga scala è previsto per il quarto trimestre del 2025, con una crescita progressiva che porterà l’impianto a pieno regime entro il 2028. Una volta operativo, il sito sarà in grado di produrre oltre 10.000 wafer in carburo di silicio a settimana, equivalenti a circa 480.000 wafer all’anno, garantendo una capacità produttiva tra le più elevate al mondo.

Questa collaborazione rafforza la posizione di STMicroelectronics e Sanan Optoelectronics come protagonisti della nuova generazione di semiconduttori SiC, fondamentali per l’efficienza energetica e l’innovazione sostenibile del futuro.

 

Per STMicroelectronics, alle prese con una fase di riorganizzazione e sfide di governance tra Italia e Francia, questa collaborazione rappresenta un segnale forte e positivo. Il nuovo stabilimento segna infatti il debutto della produzione in volumi in Cina di chip di potenza SiC da 8 pollici, destinati principalmente al settore automobilistico, ma con applicazioni anche in altri ambiti industriali.

Con la rapida espansione del mercato dei veicoli elettrici in Cina, cresce in modo esponenziale la domanda di componenti al carburo di silicio. Secondo le stime, il costo dei dispositivi SiC potrebbe ridursi del 40-50% nei prossimi due anni grazie all’aumento della produzione e al miglioramento dei processi produttivi. ST prevede che la tecnologia SiC consentirà ai veicoli di raggiungere fino a 600 chilometri di autonomia e di ricaricarsi completamente in soli 20 minuti, un passo avanti decisivo per la mobilità sostenibile.

La struttura si trova all’interno dello Xiyong Microelectronics Industrial Park, nel cuore della zona high-tech di Chongqing. Accanto alla fabbrica di chip, sorgerà anche un impianto per la produzione di substrati SiC da 200 mm, gestito da Sanan, che impiegherà tecnologie  proprietarie per soddisfare le esigenze produttive della joint venture.

 

 

Secondo le previsioni di TrendForce, il mercato cinese dei dispositivi di potenza SiC salirà a 2,2 miliardi nel 2025 e arriverà a 6,1 miliardi di dollari entro il 2030.
Un trend che conferma come l’alleanza tra STMicroelectronics e Sanan Optoelectronics sia strategica per guidare la transizione energetica e tecnologica globale.